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888棋牌官方版:大尺寸晶片的掺杂均匀性和稳定性难以满足高电压要求

时间:2021/7/14 7:43:02   作者:   来源:   阅读:19   评论:0
内容摘要:近日,国务院国有资产监督管理委员会向全社会发布了《中央企业科技创新成果推荐目录(2020年版)》,包括核心电子元器件、关键元器件、分析测试仪器及高端设备,包括8个领域178项科技创新成果。全球能源互联网研究院有限公司(以下简称联合研究院)开发的3300伏特(V)绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和模块令人瞩目。4年后,联...

近日,国务院国有资产监督管理委员会向全社会发布了《中央企业科技创新成果推荐目录(2020年版)》,包括核心电子元器件、关键元器件、分析测试仪器及高端设备,包括8个领域178项科技创新成果。全球能源互联网研究院有限公司(以下简称联合研究院)开发的3300伏特(V)绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和模块令人瞩目。4年后,联合研究院研究团队突破了制约国内高压igbt发展的鲁棒性差、可靠性低等技术瓶颈,打破了国外的技术垄断。

日前,该团队领导的国家重点研发项目“柔性直流输电设备压接定制超高功率IGBT关键技术及应用”通过了工信部组织的综合绩效考核。该项目自主研发了4500V/3000A低通态压降和3300V/3000A高关断容量IGBT器件,满足柔性直流传输设备的要求,解决了高电压、大容量压接型IGBT芯片和器件不足的问题。

涉及多个环节,需要多个行业联合研究

高压IGBT芯片和器件的开发周期较长,涉及材料、芯片设计、芯片技术、器件封装和测试,需要跨学科集成、多行业协同开发。

“目前,在电力系统应用的高压IGBT器件的发展中存在四个主要的技术瓶颈。一是用于高压芯片的高电阻率衬底材料的制备技术。大尺寸晶片的掺杂均匀性和稳定性难以满足高电压要求。IGBT和FRD芯片的发展需求;二是缺乏高压芯片的关键工艺能力,缺乏提高芯片性能的高端工艺处理能力,无法满足电力系统高压IGBT芯片的处理需求;第三,封装设计系统和工艺能力难以满足高压器件的封装要求,特别是卷曲型器件封装,在封装绝缘系统、多芯片并联共流和均衡压力控制方面研究不足;第四,高压IGBT器件的整体可靠性和稳健性远远落后于国外先进水平。它还没有被电力系统设备和工程的长期应用证实。”联合研究院功率半导体研究所所长吴俊民在接受《科技日报》记者采访时表示。



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